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IRF730AS, SiHF730AS, IRF730AL, SiHF730AL
Vishay Siliconix
10 5
10 4
V GS = 0 V, f = 1 MHz
C iss = C gs + C gd , C ds Shorted
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
10 2
10 3
10 2
C iss
C oss
10
1
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
10
C rss
1
0.1
V GS = 0 V
1
10
10 2
10 3
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
91046_05
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91046_07
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
20
I D = 5.5 A
10 2
Operation in this area limited
16
12
8
V DS = 320 V
V DS = 200 V
V DS = 80 V
10
by R DS(on)
10 μs
100 μs
1 ms
1
4
For test circuit
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
10 ms
0
see figure 13
0.1
Single Pulse
0
5
10
15
20
25
10
10 2
10 3
91046_06
Q G , Total Gate Charge (nC)
91046_08
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
4
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
Document Number: 91046
S11-1048-Rev. C, 30-May-11
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